华为Mate 60 Pro是华为今年推出的旗舰手机，搭载了自家研发的麒麟9000S芯片，号称是中国半导体技术的再一次突破。这款芯片在各大平台上的跑分成绩也遥遥领先，让不少消费者和业内人士感到惊讶和敬佩。

然而，就在大家还沉浸在国产芯片的喜悦中时，一则来自日本的消息却打破了这种美好的氛围。据称，日本一家知名的技术咨询公司TechInsights对华为Mate 60 Pro进行了拆解分析，发现了麒麟9000S芯片的秘密。这个秘密究竟是什么？会不会影响华为和中国半导体产业的声誉和前景？

一、麒麟9000S芯片到底是谁造的？

根据TechInsights的报告，他们在拆解华为Mate 60 Pro时，发现了应用处理器即海思麒麟9000S芯片。这颗芯片有以下标记：

注意标记“2035”表明它是在2020年第35周包装的。这最初看起来并不是很有希望找到中芯国际7nm N+2的变化。然而，GFCV120标记对TechInsights来说是新的。尽管如此，他们的团队仍继续进行分析，并将芯片从包装中取出。

麒麟9000S型模具的尺寸为107平方毫米，比麒麟9000型模具 (105平方毫米)大2%。根据芯片上的各种识别特征，该团队得出结论，该处理器是由中芯国际制造的。

二、麒麟9000S芯片采用了什么工艺？

在确定了制造商之后，TechInsights团队进一步探索了这颗芯片采用了什么工艺。最初的实验室结果表明，这种管芯肯定比中芯国际的14nm工艺节点更先进，但比Techinsights观察到的5nm工艺具有更大的临界尺寸 (CD)。在对芯片上的CD进行额外测量后，包括逻辑栅极间距、鳍片间距和下后端（BEOL）金属化间距，分析团队得出结论，芯片具有7nm特性。

在这一点上，TechInsights团队非常有信心地确认，发现了中芯国际最先进工艺制程水平为7nm N+2。与其它7nm工艺节点相比，逻辑栅极间距CD略宽，但与中芯国际的N+1版本相比仍有所缩小。这表明，与市场上其他7nm器件相比，栅极密度更低。

但通过在此芯片上实现其他设计技术协同优化（DTCO）功能，如单扩散中断（SDB），栅极密度差距减小。较低的金属层具有与中芯国际N+1版本相似的布线策略，但与更小的CD使这个中芯国际的N+2工艺更接近7nm节点。与N+1相比，这些增强功能使中芯国际缩小了标准单元高度（-5%）和标准单元面积（~10%）。

三、麒麟9000S芯片的性能如何？

麒麟9000S芯片是第一款支持超线程的移动端ARM芯片，所以它是8颗物理核心，12线程。由1颗超大核心 + 3颗大核心 + 4颗小核心组成，而并非之前通常的架构是由大中小三种核心组成的，麒麟9000S并没有类似A78，A710，A715这样的中核心。大核和中核均为华为自研的泰山架构，小核则是cortex-A510。GPU则是马良910单元，拥有4个核心，主频频率750MHz。

麒麟9000S芯片的综合性能跟苹果的A13芯片差不多，要好于经常与之比较的骁龙888。这个性能表现，使得搭载麒麟9000S的华为Mate 60系列，在日常使用场景下完全够用，使用体验也很流畅。不过在原神之类的高负债场景表现就比较一般。

在王者荣耀这类低负载的游戏里，这颗麒麟9000S的表现还是非常优秀的，可以贴着120帧满帧跑，帧率表现甚至比搭载骁龙8+处理器的机型还好。

经过日本拆解后，我们发现了麒麟9000S芯片的秘密：它是由中芯国际采用7nm N+2工艺制造的。这一发现证明了中国半导体产业在没有EUV光刻工具的情况下也能取得技术进步和突破。这对于华为和中国半导体产业来说是一个巨大的成就和挑战，也显示了他们在面对美国制裁时的韧性和创新力。

当然，我们也不能忽视麒麟9000S芯片与目前市场上最先进的5nm或3nm工艺制造的芯片之间还存在着一定的差距。这意味着华为和中国半导体产业还需要不断地努力和投入，才能缩小这种差距，并实现真正的自主创新和自给自足。同时，我们也要警惕美国可能会采取更严厉的限制措施，阻碍中国半导体产业的发展。

结语

总之，麒麟9000S芯片是一个里程碑式的产品，它展示了中国半导体技术的实力和潜力。我们期待着麒麟9000S芯片能够为我们带来更好的智能手机体验，也为中国半导体产业的未来打下坚实的基础。您对麒麟9000S芯片有什么看法？您觉得它能否与其他国家的芯片竞争？欢迎在评论区留言分享您的观点。